核心工艺：  光刻显影  +  磁控溅射  +  金锡焊●料预沉积

深圳金航芯半导体有限公司集半导体和光学工艺为一体，自主设计、加工AIN氮化铝、SiN氮化硅、Si硅基、BF33玻基金属化薄膜热沉、陶瓷Pcb电路，是光电模块、半导体激光器、探测器、发射器、微波电路、IGBT/MOS模组测封装配不可缺少的基础物料，其他应用领域如通讯5G、微波毫米波通讯、大功率LED照明、物联网和汽车电子传感器技术、医疗成像、生物技术等。

2022年9月19日新←品发布

☆☆☆☆☆     AMB工艺散热↘基板（活性钎焊工艺+0.32mm氮化㊣硅基材+0.3mm裸铜），满足175℃高温测试、1200V100A、800Pa抗裂测试，应用于新能源汽车、大功率充电桩、5G基站等。

2022年 4月15日新品发布

☆☆☆☆☆     TiPtAu1000A/200A/2000A+Au70Sn30（1um）预沉积     ☆☆☆☆☆

【1】自主生物识别传感器盖板图形设计与制作，线宽线距5um，满足RoSH标准，应用于智能门↑锁、智能家居、穿戴式设备等，欢迎垂询合作。

【2】圆形Si硅片外环3面金属化（TiNiAu），应用于大功率♂激光器。

     【4】AIN氮化铝3D侧面金属化PD热沉，应用于大功率Led灯珠、大功◣率激光器。

      【5】氮化铝表面金属化集成电路，[DPC]工艺实现，应用于航空航天、高端封装。