核心工艺: 光刻显影 + 磁控溅射 + 金锡焊料预沉积
深圳金航芯半导体有限公司集半导◤体和光学工艺为一体,自主设计、加工AIN氮化铝、SiN氮化硅、Si硅基、BF33玻基金属化薄膜热沉、陶瓷Pcb电路,是光电模块、半导体激◣光器、探测器、发射器、微波电路、IGBT/MOS模组测封装配不可缺少的基础物料,其他应用ㄨ领域如通讯5G、微波毫米波通讯、大功率LED照明、物联网和汽车电子传感器技术、医疗成像、生物〇技术等。
2022年9月19日新品♀发布
☆☆☆☆☆ AMB工艺散热基板(活性钎焊工艺+0.32mm氮化硅基材+0.3mm裸铜),满足175℃高温测试、1200V100A、800Pa抗裂测试,应用于新能源汽车、大功率充电桩、5G基站等。
2022年 4月15日新品发布
☆☆☆☆☆ TiPtAu1000A/200A/2000A+Au70Sn30(1um)预沉积 ☆☆☆☆☆
【1】自主生物识别传感器盖板图形设计与制作,线宽线距5um,满足RoSH标准,应用于智能门锁、智能家居、穿戴式设♀备等,欢迎垂询合作。
【2】圆形Si硅片外环3面金属化(TiNiAu),应用于大功∮率激光器。
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【4】AIN氮化铝3D侧面金属化PD热沉,应用于大功率Led灯珠、大功率激光器。
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【5】氮化铝表面金属化集成电路,[DPC]工艺实现,应用于航空航№天、高端封装。
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深圳金航芯半导体有限公司
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