?设计参数

1 .定制化设计： 支持2.5μm?10μm的金属★镀层，薄膜ξ电阻成型。

2.特长：

氧化铝纯度≥99. 5%和氮化铝纯度≥99. 9%,高纯度ζ　基板在高频率时，可以实现低损Ψ耗；具有良好的热传导性，强度及绝缘性的高品质氧化铝和氮化铝基板。

3.材料特性：

4.用途：

高频器件的输入输出、光纤发射器的基板、 光通信器件用作√断电载体、导热基板、各类光通信器件用回路基板。

5. 体积电阻率:25°C···>10¹⁴Ω ·cm; 300°C···>1 0¹⁴Ω ·cm;

                         500°C···>10¹⁰Ω ·cm;700°C···>10⁷ Ω ·cm;

6. 金ζ属化形式：陶瓷白片、单面金属∞化、 双面金属化、 三面金属化、四面金』属化。

7.薄膜构成：Ni、Cr、Ti、TiW、N i V、NiCr、AL、Cu、Pt、Au 等。

?设计指南

?材料：氧化※铝含量＞99. 5%;氮化︾铝含量＞99. 9%

?基本尺寸：1 mm*1 mm?50mm*50mm

?基板厚度：0. 2mm?1.5mm

?粗研磨: 0. 25μm Ra Max

?镜面磨砂：0. 025μm Ra Max