?设计参数

1 .定制☆化设计： 支持2.5μm?10μm的金属镀层，薄膜〖电阻成型。

2.特长：

氧化铝纯度≥99. 5%和氮化铝纯度≥99. 9%,高纯度基板在高频率时，可以实现低损耗；具有良好的热传导性，强度及绝缘性的高【品质氧化铝和氮化铝基板。

3.材料特性：

4.用途：

整流电桥、微波器件、大功率LED、高频器件等； 表面贴装(SMT)技术、光通信器件、其它各种通信器件；多芯片组(MCM) 技术，电路集成。

5. 体积电阻率:25°C···>10¹⁴Ω ·cm; 300°C···>1 0¹⁴Ω ·cm;

                         500°C···>10¹⁰Ω ·cm;700°C···>10⁷ Ω ·cm;

6. 金ㄨ属化形式：陶瓷白片、单面金属化、 双面金属□　化。

7.薄膜构成：Ni、Cr、Ti、TiW、N i V、NiCr、AL、Cu、Pt、Au 等。

?设计指南

?材料：氧化铝含量＞99. 5%;氮化铝●含量＞99. 9%

?基本尺寸：1 mm*1 mm?50mm*50mm

?基板厚度：0. 2mm?1.5mm

?粗研磨: 0. 25μm Ra Max

?镜面磨砂：0. 025μm Ra Max