详细介绍
?设计参数
1 .定制化设计: 支持2.5μm?10μm的金属镀层,薄膜电阻¤成型。
2.特长:
氧化铝纯度≥99. 5%和氮化铝☆纯度≥99. 9%,高纯度基板在高频率时,可以ω实现低损耗;具有良好的热传导性,强度及ω 绝缘性的高品质氧化铝和氮化铝基板。
3.材料特性:
项目 | 单位 | 测量值 |
导热系数 | W/m?K | 29 ?320 |
热膨胀系数 | X10-6/K | 40~300°C&40~500°C&40~800°C |
Q值 | > 10000 | |
介电常数 | er | 9.8 @10GHz10.3 @1MHz |
4.用途:
汽车电子传感器、电磁场传感器;激光器、光发射器、光收发器。
5. 体积电】阻率:25°C···>1014Ω ·cm; 300°C···>1 014Ω ·cm;
500°C···>1010Ω ·cm;700°C···>107 Ω ·cm;
6. 金属化形式:陶瓷白片、单面金属化、 双∑ 面金属化、 三面金属化、四面金属化。
7.薄膜构成:Ni、Cr、Ti、TiW、N i V、NiCr、AL、Cu、Pt、Au 等。
?设计指南
?材料:氧□化铝含量>99. 5%;氮化铝含①量>99. 9%
?基本尺寸:1 mm*1 mm?50mm*50mm
?基板厚度:0. 2mm?1.5mm
?粗研磨: 0. 25μm Ra Max
?镜面磨砂:0. 025μm Ra Max
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