?设计参数

1 .定制化设计： 支持2.5μm?10μm的金属镀层，薄膜电阻¤成型。

2.特长：

氧化铝纯度≥99. 5%和氮化铝■纯度≥99. 9%,高纯度基板在高频率时，可以ω实现低损耗；具有良好的热传导性，强度及□　绝缘性的高品质氧化铝和氮化铝基板。

3.材料特性：

4.用途：

功分器、检波器、微波器、衰减器；高功率激光器、电动汽车、大功率LCD。

5. 体积电阻率:25°C···>10¹⁴Ω ·cm; 300°C···>1 0¹⁴Ω ·cm;

                         500°C···>10¹⁰Ω ·cm;700°C···>10⁷ Ω ·cm;

6. 金属化】形式：陶瓷白片、单面金属化、 双面金属化、 三∑　面金属化、四面金属化。

7.薄膜构成：Ni、Cr、Ti、TiW、N i V、NiCr、AL、Cu、Pt、Au 等。

?设计指南

?材料：氧□化铝含量＞99. 5%;氮化铝含量＞99. 9%

?基本尺寸：1 mm*1 mm?50mm*50mm

?基板厚度：0. 2mm?1.5mm

?粗研磨: 0. 25μm Ra Max

?镜面磨砂：0. 025μm Ra Max