?设计参数

1 .定制化设计： 支持2.5μm?10μm的金属镀层ξ　，薄膜电阻成型。

2.特长：

氧化铝纯◆度≥99. 5%和氮化铝纯度≥99. 9%,高纯度基板在↘高频率时，可以实现低损耗；具有良好的热传导性，强度及绝Ψ 缘性的高品质氧化铝和氮化铝基板。

3.材料特性：

4.用途：

薄膜电阻电容芯片及网络、薄膜电路MAC基板、二次集成电路； 智能汽●车电子传感器、高速光模块、 5G、大数据〒及物业网络等。

5. 体积电『阻率:25°C···>10¹⁴Ω ·cm; 300°C···>1 0¹⁴Ω ·cm;

                         500°C···>10¹⁰Ω ·cm;700°C···>10⁷ Ω ·cm;

6. 金属化◇形式：陶瓷白片、单面金属化、 双︽面金属化。

7.薄膜构成：Ni、Cr、Ti、TiW、N i V、NiCr、AL、Cu、Pt、Au 等。

?设计指南

?材料：氧化铝含量〓＞99. 5%;氮化铝含量＞99. 9%

?基本尺寸：1 mm*1 mm?50mm*50mm

?基板厚度：0. 2mm?1.5mm

?粗研磨: 0. 25μm Ra Max

?镜面磨砂：0. 025μm Ra Max